國外光子芯片技術(shù)研究及應(yīng)用調(diào)研報告
【正文目錄】
第一章 國外光子芯片技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用概述
第一節(jié) 光子芯片概述
一、光子芯片定義
二、光子芯片主要組成
三、光子芯片與傳統(tǒng)電子芯片的對比
第二節(jié) 光子集成技術(shù)急需發(fā)展及解決的技術(shù)
一、硅基納米光波導(dǎo)
二、硅基光源技術(shù)
三、光子晶體
四、光電集成技術(shù)
五、先進(jìn)共晶封裝技術(shù)
第三節(jié) 國外光子芯片主要應(yīng)用發(fā)展趨勢
一、光傳輸與光互聯(lián)
二、光學(xué)生化傳感器
三、軍事領(lǐng)域
第二章 國外重點(diǎn)國家及地區(qū)光子芯片發(fā)展情況
第一節(jié) 美國光子芯片發(fā)展情況
一、基本情況
二、研究單位
第二節(jié) 日本光子芯片發(fā)展情況
一、基本情況
二、研究單位
第三節(jié) 歐洲光子芯片發(fā)展情況
一、基本情況
二、研究單位
第三章 國外光子芯片及器件相關(guān)技術(shù)研究
第一節(jié) 國外硅基光子集成及器件相關(guān)技術(shù)研究
一、光子集成主要材料及制作工藝
二、SOI材料及其性能優(yōu)勢
三、基于硅基的光子集成器件技術(shù)
四、硅基集成光柵器件
五、基于硅基器件的全光信號處理技術(shù)
六、光子集成芯片設(shè)計技術(shù)
第二節(jié) 國外納米光子器件及相關(guān)技術(shù)研究
一、納米光子學(xué)及器件特性
二、金屬納米結(jié)構(gòu)的電磁增強(qiáng)性質(zhì)
三、光子晶體的制備及應(yīng)用
四、硅基納米光波導(dǎo)器件技術(shù)
五、石墨烯-硅混合納米光子集成波導(dǎo)及器件
第三節(jié) 國外硅基光電子及器件相關(guān)技術(shù)研究
一、硅基光電子發(fā)展現(xiàn)狀
二、硅基光電子關(guān)鍵技術(shù)
三、集成光電子器件微納加工工藝
四、硅基微納光電子器件應(yīng)用及性能優(yōu)化
第四節(jié) 國外光子芯片封裝技術(shù)研究
一、SOI光波導(dǎo)耦合技術(shù)
二、量產(chǎn)共晶焊自動化技術(shù)
三、低成本和可擴(kuò)展的光子器件封裝技術(shù)
第四章 國外光子芯片技術(shù)重點(diǎn)領(lǐng)域應(yīng)用研究
第一節(jié) 國外光子集成技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢
一、大容量、高帶寬光傳輸
二、低成本、小型化、高可靠性光接入
三、高密度、高帶寬光互聯(lián)
第二節(jié) 國外光子技術(shù)在雷達(dá)領(lǐng)域應(yīng)用
一、光控相控陣?yán)走_(dá)
二、太赫茲雷達(dá)
第三節(jié) 國外軍事領(lǐng)域其他應(yīng)用
一、光子集成芯片戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)航系統(tǒng)
二、DARPA通用微型光學(xué)系統(tǒng)激光器計劃
第四節(jié) 國外量子集成光學(xué)芯片研究及應(yīng)用
一、集成量子芯片研究進(jìn)展
二、微納光子學(xué)走入量子模擬
三、可編程光子芯片研發(fā)情況
四、微波光子集成芯片研發(fā)情況
第五節(jié) 其他領(lǐng)域應(yīng)用研究
一、數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域
二、通信領(lǐng)域
三、高性能計算和人工智能領(lǐng)域
第五章 國內(nèi)光子芯片技術(shù)評估與發(fā)展建議
第一節(jié) 我國光子芯片領(lǐng)域發(fā)展概述
一、我國光子芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
二、我國光器件及芯片研發(fā)核心技術(shù)缺乏
三、我國面臨高端光芯片國產(chǎn)化挑戰(zhàn)
第二節(jié) 我國光子芯片領(lǐng)域發(fā)展趨勢
一、數(shù)據(jù)中心內(nèi)部光纖替代需求迫切
二、應(yīng)用前景廣闊市場空間不斷增長
三、技術(shù)研發(fā)和工藝設(shè)計亟待突破
第三節(jié) 對我國光子芯片領(lǐng)域的發(fā)展建議